低成本 650V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 KP85402SGA

在半橋拓?fù)鋺?yīng)用中，通常使用感性負(fù)載，同時(shí)因?yàn)楣β势骷陨砑纳姼泻凸β驶芈芳纳姼?，在高?cè)功率管關(guān)斷時(shí)，續(xù)流回路在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓。該負(fù)壓包含一個(gè)由寄生電感 L₃、L₄ 導(dǎo)致的較大動(dòng)態(tài)尖峰負(fù)壓和一個(gè)由線路寄生電阻以及下管體二極管 D₂ 導(dǎo)通導(dǎo)致的較低靜態(tài)負(fù)壓，如圖 3 所示。

當(dāng)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓越大時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部器件承受更高電壓應(yīng)力，更容易擊穿失效。同時(shí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) VS 負(fù)壓越大，導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)芯片高側(cè)供電節(jié)點(diǎn) HB 瞬態(tài)電壓越低，當(dāng) HB 電壓低于參考地 COM 時(shí)，內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通可能引起邏輯錯(cuò)誤或者芯片燒毀，影響柵極驅(qū)動(dòng)器的可靠工作。因此，更高的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓承受能力可以提升惡劣工況下功率系統(tǒng)的可靠性。

KP85402 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓能力測(cè)試波形如圖 4 所示，在 V_DD 電源電壓為 15V，VS 瞬態(tài)負(fù)壓 -60V(100ns) 條件下，高側(cè)輸出邏輯無(wú)異常，芯片未損壞；在輸入 HIN 控制信號(hào)為 20kHz 開(kāi)關(guān)頻率條件下，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)負(fù)壓拉到 -10V，輸入信號(hào) HIN 仍能準(zhǔn)確控制輸出信號(hào) HO。

根據(jù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，在同樣測(cè)試條件下，綜合對(duì)比測(cè)試市面上幾款同類產(chǎn)品，必易微 KP85402 負(fù)壓承受能力與國(guó)際主流品牌承受能力相當(dāng)，處于國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。

高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路多采用自舉式電路結(jié)構(gòu)，利用柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的電平移位電路可將低壓邏輯控制信號(hào)傳遞至高側(cè)。由于高側(cè)控制驅(qū)動(dòng)電路參考于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) VS，在高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，芯片內(nèi)部的寄生電流會(huì)通過(guò)耦合路徑傳遞至低壓側(cè)，當(dāng)芯片內(nèi)部存在失配時(shí)，會(huì)產(chǎn)生差模干擾信號(hào)，從而影響正確的輸入輸出邏輯。

KP85402 采用必易微特有的電平位移和共模噪音抑制技術(shù)，可有效抑制開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的共模噪音干擾，防止誤觸發(fā)，從而保證系統(tǒng)正?？煽窟\(yùn)行。根據(jù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，KP85402 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) dv/dt 在 100V/ns 時(shí)，高側(cè) HO 輸出未發(fā)生異常，并具有較大的可靠性裕量。

在半橋開(kāi)關(guān)電路中，傳播延遲與延遲匹配是柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)，更低的傳播延遲意味著更快的響應(yīng)能力，如短路保護(hù)或精確限流就要求控制回路響應(yīng)時(shí)間足夠短。

此外，柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)與低側(cè)之間的傳播延遲可能也會(huì)有所不同，由于芯片內(nèi)部電路和器件之間的差異 (例如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲比低側(cè)驅(qū)動(dòng)器更長(zhǎng))，高低側(cè)輸出的高電平驅(qū)動(dòng)信號(hào)可能會(huì)在某些開(kāi)關(guān)周期 (甚至包含死區(qū)時(shí)間) 內(nèi)重疊，如果發(fā)生這種情況，將會(huì)出現(xiàn)短路并導(dǎo)致功率開(kāi)關(guān)器件或負(fù)載損壞。綜合對(duì)比測(cè)試市面上幾款同類產(chǎn)品，必易微 KP85402 具有更低的傳播延遲與延遲匹配。

半橋開(kāi)關(guān)電路存在串?dāng)_問(wèn)題，例如低側(cè)開(kāi)關(guān)器件保持關(guān)斷，高側(cè)開(kāi)關(guān)器件打開(kāi)時(shí)，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) VS 電壓被迅速拉高至母線電壓 V_BUS 的過(guò)程中，低側(cè)開(kāi)關(guān)器件米勒電容兩端電壓快速變化，產(chǎn)生位移電流 I_gd，并通過(guò)柵極關(guān)斷電阻以及 LO 內(nèi)部等效下拉電阻產(chǎn)生電壓降，如果這個(gè)電壓降大于低側(cè)開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通閾值，低側(cè)器件就會(huì)開(kāi)通，從而導(dǎo)致半橋電路直通甚至損壞。KP85402 驅(qū)動(dòng)灌電流能力為 1000mA，具有更強(qiáng)的位移電流吸收能力。

另一方面，在實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)中，工程師們總是在開(kāi)關(guān)損耗和 EMI 表現(xiàn)之間權(quán)衡。在開(kāi)關(guān)損耗允許的范圍內(nèi)，柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出與開(kāi)關(guān)器件柵極之間往往會(huì)串聯(lián)適當(dāng)驅(qū)動(dòng)電阻，以限制開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通速度，從而優(yōu)化 EMI 表現(xiàn)。不同功率段，該優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電流不同。更大的驅(qū)動(dòng)電流意味著能夠適配更寬范圍的功率應(yīng)用。相比于市面上幾款同類產(chǎn)品，必易微 KP85402 產(chǎn)品，具有較高的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力。

KP85402 還集成有高低側(cè)欠壓鎖定 (UVLO) 功能，確保半橋柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的外部功率器件有足夠的柵極電壓，可以完全打開(kāi)功率器件。KP85402 集成內(nèi)部互鎖和死區(qū)保護(hù)功能，在輸出狀態(tài)改變時(shí)，可自動(dòng)插入死區(qū)，確保柵極驅(qū)動(dòng)器高低側(cè)一側(cè)打開(kāi)前，另一側(cè)完全關(guān)斷，防止高低側(cè)共通的情況發(fā)生。

此外，KP85402 還集成有輸入脈沖濾波功能。實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)在功率器件開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的 dv/dt 和 di/dt，該開(kāi)關(guān)噪聲會(huì)耦合到與柵極驅(qū)動(dòng)器相連的控制信號(hào)線，柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰干擾，并使驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生錯(cuò)誤的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)器件誤開(kāi)通與誤關(guān)斷，使得系統(tǒng)無(wú)法正常工作。KP85402 內(nèi)部集成的輸入脈沖濾波器能夠?yàn)V除這些尖峰噪聲信號(hào)，保證系統(tǒng)可靠運(yùn)行。